迈入12月，包括立昂微、翠展微、义芯集成、华润微、华为、旺荣半导体、清溢光电、佰维存储、苏州锐杰微科、广汽集团等在内企业半导体项目迎来最新进展，涉及领域涵盖半导体材料、封测、功率半导体等。

立昂微：三个募投项目结项

12月13日，立昂微发布公告称，公司年非公开发行股票募投项目均已实施完毕，公司本次募投项目全部结项。该公司拟将年非公开发行股票募投项目节余募集资金4,.47万元永久补充流动资金。

根据公告，立昂微本次募投项目分别为“年产万片集成电路用12英寸硅片”“年产72万片6英寸功率半导体芯片技术改造项目”“年产万片6英寸硅外延片技术改造项目”。

针对募集资金节余的主要原因，立昂微表示，公司在募投项目建设过程中，严格按照募集资金使用的有关规定，谨慎使用募集资金，在保证项目建设质量的前提下，严格控制募集资金支出，加强对项目费用的控制、监督和管理，充分考虑资金结算及其他有效资源的综合利用。另外，募集资金存放期间产生了一定的利息收入。

翠展微三期项目封顶

12月12日，据浙江翠展微电子有限公司（以下简称“翠展微”）消息，翠展微三期项目封顶。该项目总投资15亿元，建筑总面积近10万平方米，建成达产后将实现年产万套IGBT模块的生产能力，预计年产值10亿元。

据悉，翠展微三期项目于6月19日开工，计划工期7个月，年1月交付首期工厂，预计年5月首批约5条产线正式投产，全部万套IGBT模块产线预计在年年底投产。同时，新工厂将会投建1~2条SiC器件产线，预计年正式投产。

公开资料显示，翠展微成立于年5月，于年11月正式签约落户嘉善，同时启动第一条产能20万套/年的汽车级IGBT模块封测线建设，并于年11月建成投产，年下半年扩产至万套/年，目前三期项目已封顶，全部建设完成将达到万套/年的产能。

融资方面，翠展微电子分别于年5月、9月、年1月连续宣布完成Pre-A轮、A轮和A+轮融资，三轮融资总额超2亿元。翠展微表示，年翠展微已交付近万套的汽车主驱IGBT模块，同时汽车SIC模块也已经获得了整车项目定点，因此融资资金将全面投入到新建产线建设、新设备购买、新产品研发中，以确保翠展微具备年交付超60万套汽车主驱IGBT模块的能力。同时，公司将持续开拓在工控、光伏、储能等领域的市场。

义芯集成电路先进封装项目投产

12月12日上午，义芯集成电路（义乌）有限公司（以下简称“义芯集成”）半导体先进封装项目投产仪式暨产业对接会在义乌举行。

据义芯集成电路官微介绍，义芯集成位于义乌经济技术开发区规划建设的义东北半导体产业基地中，是该片区迎来的首个芯片半导体项目。义芯集成工厂于年7月开工建设，占地70亩，建筑面积共约4.99万平方米，一期工厂于年11月竣工，目前正在进行试生产，并计划于年进一步购置设备扩大生产。

资料显示，项目方义芯集成由中芯聚源及马来西亚上市公司益纳利美昌集团合资组建，注册资本16.91亿元人民币，致力于成为国内先进、技术水平高端的射频前端模组系统级先进封装、滤波器晶圆级封装及芯片级封装的设计和制造平台。

华为首家海外工厂将落地法国

据中时新闻网12月10日报道，华为法国分公司副总经理张明刚透露，华为首家海外工厂已经确定落地法国，占地约8公顷，预计年底投产。

据报道，华为这一项目预计投资2亿欧元，年产值可达10亿欧元。这座工厂预计年产10亿台设备，但并非生产智能手机，而是4G和5G基站所需的芯片组、主板等零部件，可供应整个欧洲市场。

报道称，华为于年进入法国，目前在巴黎拥有6个研发中心、1个全球设计中心。华为年就宣布将在法国设厂，原计划年初投产，但因为环保等各种原因，拖延了许久。

宁夏盾源聚芯研发楼及石英坩埚扩产项目竣工投产

12月10日，宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司（以下简称“盾源聚芯”）研发楼及石英坩埚扩产项目竣工投产。

盾源聚芯官微表示，该项目总投资5.4亿元，建设规模3.3万平方米，主要生产半导体石英坩埚、超高纯石英砂及硅部件产品，项目投产后可年产石英坩埚10万只、石英砂吨、硅部件4万枚，年产值可达10亿元。

盾源聚芯是一家集半导体石英坩埚、超高纯石英砂及硅部件产品的研发、生产和销售为一体的半导体装备核心零部件、半导体材料的专业制造商。该公司主营SiFusion硅熔接制品、SiParts精密硅部件、SiMaterial先进硅材料以及AQMN高纯石英坩埚四大产品，并已在芯片制造商得到应用。

长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目开工

据苏州中设建设集团有限公司消息，12月9日，苏州中设集团承建的苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目举行奠基仪式。

消息显示，苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目位于苏州科技城普陀山路北侧、漓江路东侧地块，预计年正式投入使用。作为省重点项目，该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台，进行氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器用2-3英寸芯片产线建设及器件封装等。项目建成后，将具备年产1亿颗芯片、万器件的能力。